|
 |
|
|
|
 |
|
|
Рентгенотелевизионная микроскопия
- Увеличение от 1 до 500-кратного, напряжение надах рентгеновских трубок от 10 до 150 кВ, разрешающая способность в пределах от 20 до 200 пар лин/мм
- Микроскопы типов - МТР-3И, МТР-4, МТР-7
Растровая электронная микроскопия
- Получаемое увеличение до 100000x при разрешении 200 А
- Глубина резкости - несколько десятков мк
- Растровый электронный микроскоп «JSM-35CF»
Контроль газовой среды в подкорпусном объеме герметизированных изделий
разрешающая способность, не менее 1200
Чувствительность:
к углекислому газу, не менее 1,5•10 -2 Кл/г
к парам воды, не менее 1,0•10 -5 Кл/г
Рентгеноcпектральный Микроанализ
- Диапазон от Na (11) до U (92), концентрационное распределение элементов по поверхности образца или по линии
- Локальность анализа по глубине - до 10 мкм, пространственная ~1 мкм, абсолютная локальная чувствительность 1 --15 г
- Растровый электронный микроскоп «JSM-35CF» с приставкой для рентгеноспектрального микроанализа «Link Systems-860-II»
Контроль герметичности
- Предельная чувствительность установок для изделий, имеющих свободные внутренние объемы или представляющих собой герметичные перегородки и уплотнения порядка 1•10 -11 м 3 •Па/с
Определение состава газовой подкорпусной среды изделий
- Диапазон а.е.м. 2-300. Чувствительность установки к парам воды ~ 500 ppm
Электронная ОЖЕ-СПЕКТРОСКОПИЯ
Контроль чистоты поверхности
- Si-пластины на различных этапах технологического процесса
- кристалла ИС, посаженного в корпус
- корпусов ИС (траверсов, места посадки кристалла)
Режимы
- энергия первичных электронов 3 кэВ
- ток первичных электронов 5 10 -7 А
- вакуум 10 -9 мм рт.ст.
- ионная очистка
|
|
